SUP90N06-6M0P-E3
DigiKey製品番号	SUP90N06-6M0P-E3-ND
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SUP90N06-6M0P-E3
商品概要	MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 60 V 90A（Tc） 3.75W（Ta）、272W（Tc）スルーホール TO-220AB
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SUP90N06-6M0P-E3 モデル

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.5V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 120 nC @ 10 V
シリーズ TrenchFET®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4700 pF @ 30 V
部品状況生産中止品	電力散逸（最大） 3.75W（Ta）、272W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 90A（Tc）	パッケージ/ケース TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 SUP90
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 6ミリオーム @ 20A、10V

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
SUP50010E-GE3	Vishay Siliconix	54	SUP50010E-GE3-ND	¥864.00000	メーカー推奨品
CSD18533KCS	Texas Instruments	12,092	296-35013-ND	¥409.00000	類似
FDP070AN06A0	onsemi	804	FDP070AN06A0-ND	¥535.00000	類似
FDP5800	onsemi	16	FDP5800-ND	¥553.00000	類似
IPP057N06N3GXKSA1	Rochester Electronics, LLC	65,500	2156-IPP057N06N3GXKSA1-ND	¥193.09350	類似

SUP90N06-6M0P-E3