Name: SUP53P06-20-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUP53P06-20-E3-ND
Price: 811.8 JPY
Availability: InStock

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SUP53P06-20-E3
DigiKey製品番号	SUP53P06-20-E3-ND
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SUP53P06-20-E3
商品概要	MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
メーカーの標準リードタイム	63 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 60 V 9.2A（Ta）、53A（Tc） 3.1W（Ta）、104.2W（Tc）スルーホール TO-220AB
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SUP53P06-20-E3 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 115 nC @ 10 V
シリーズ TrenchFET®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 3500 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 3.1W（Ta）、104.2W（Tc）
FETタイプ Pチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 9.2A（Ta）、53A（Tc）	パッケージ/ケース TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 SUP53
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 19.5ミリオーム @ 30A、10V

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