Name: FQP27P06
Brand: onsemi
SKU: FQP27P06-ND
Price: 533.5 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー onsemi	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 43 nC @ 10 V
シリーズ QFET®	Vgs（最大） ±25V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1400 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 120W（Tc）
FETタイプ Pチャンネル	動作温度 -55°C～155°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 27A（Tc）	パッケージ/ケース TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 FQP27
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 70ミリオーム @ 13.5A、10V

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