Name: SUD23N06-31-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD23N06-31-GE3TR-ND
Price: 292.6 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SUD23N06-31-GE3
DigiKey製品番号	SUD23N06-31-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SUD23N06-31-GE3CT-ND - カットテープ（CT） SUD23N06-31-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SUD23N06-31-GE3
商品概要	MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
メーカーの標準リードタイム	17 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 60 V 21.4A（Tc） 5.7W（Ta）、31.25W（Tc）面実装 TO-252AA
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SUD23N06-31-GE3 モデル

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 17 nC @ 10 V
シリーズ TrenchFET®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 670 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 5.7W（Ta）、31.25W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-252AA
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 21.4A（Tc）	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 SUD23
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 31ミリオーム @ 15A、10V

製品情報のエラーを報告

ドキュメントとメディア

環境および輸出に関する分類

関連リソース

代替品リスト（7）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IPD25N06S4L30ATMA2	Infineon Technologies	11,196	IPD25N06S4L30ATMA2CT-ND	¥229.00000	類似
IPD350N06LGBTMA1	Infineon Technologies	29,662	IPD350N06LGBTMA1CT-ND	¥199.00000	類似
NTD3055L104T4G	onsemi	24,351	NTD3055L104T4GOSCT-ND	¥284.00000	類似
STD20NF06LT4	STMicroelectronics	4,406	497-5888-1-ND	¥294.00000	類似
STD20NF06T4	STMicroelectronics	11,770	497-6561-1-ND	¥266.00000	類似