Name: SQJQ510E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ510E-T1_GE3TR-ND
Price: 903.1 JPY
Availability: InStock

新製品

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SQJQ510E-T1_GE3
DigiKey製品番号	742-SQJQ510E-T1_GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） 742-SQJQ510E-T1_GE3CT-ND - カットテープ（CT） 742-SQJQ510E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SQJQ510E-T1_GE3
商品概要	N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
メーカーの標準リードタイム	39 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 286A（Tc） 348W（Tc）面実装 PowerPAK® 8 x 8
データシート	データシート

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.5V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 130 nC @ 10 V
シリーズ TrenchFET®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 10489 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 348W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	グレード自動車
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	認定 AEC-Q101
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 286A（Tc）	取り付けタイプ面実装
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 8 x 8
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 1.86ミリオーム @ 20A、10V	パッケージ/ケース PowerPAK® 8 x 8