
SQJB68EP-T1_GE3 | |
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cms-digikey-product-number | SQJB68EP-T1_GE3TR-ND - テープ&リール(TR) SQJB68EP-T1_GE3CT-ND - カット テープ(CT) SQJB68EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
cms-manufacturer | |
cms-manufacturer-product-number | SQJB68EP-T1_GE3 |
cms-description | MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8 |
cms-standard-lead-time | 27 週間 |
cms-customer-reference | |
cms-detailed-description | MOSFET - アレイ 100V 11A(Tc) 27W 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル |
データシート | データシート |
cms-eda-cad-models | SQJB68EP-T1_GE3 モデル |
cms-type | cms-description | cms-select-all |
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cms-category | ||
メーカー | Vishay Siliconix | |
シリーズ | ||
梱包形態 | テープ&リール(TR) カット テープ(CT) Digi-Reel® | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | MOSFET(金属酸化物) | |
構成 | 2 Nチャンネル(デュアル) | |
FET機能 | - | |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 100V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 11A(Tc) | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 92ミリオーム @ 4A、10V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 2.5V @ 250µA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 8nC @ 10V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 280pF @ 25V | |
電力 - 最大 | 27W | |
動作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
グレード | 自動車 | |
認定 | AEC-Q101 | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8デュアル | |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8デュアル | |
ベース品番 |
cms-quantity | 単価 | cms-ext-price |
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1 | ¥239.00000 | ¥239 |
10 | ¥151.10000 | ¥1,511 |
100 | ¥100.54000 | ¥10,054 |
500 | ¥78.84000 | ¥39,420 |
1,000 | ¥71.85900 | ¥71,859 |
cms-quantity | 単価 | cms-ext-price |
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3,000 | ¥62.99067 | ¥188,972 |
6,000 | ¥58.52817 | ¥351,169 |
9,000 | ¥56.28533 | ¥506,568 |
単価(消費税抜き): | ¥239.00000 |
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単価(消費税込み): | ¥262.90000 |