Name: SQJ872EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ872EP-T1_GE3TR-ND
Price: 353.1 JPY
Availability: InStock

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SQJ872EP-T1_GE3
DigiKey製品番号	SQJ872EP-T1_GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SQJ872EP-T1_GE3CT-ND - カットテープ（CT） SQJ872EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SQJ872EP-T1_GE3
商品概要	MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8
メーカーの標準リードタイム	32 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 150 V 24.5A（Tc） 55W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SQJ872EP-T1_GE3 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Vishay Siliconix
シリーズ	TrenchFET®
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	150 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	24.5A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	7.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	35.5ミリオーム @ 10A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	22 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1045 pF @ 25 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	55W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	自動車
認定	AEC-Q101
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース	PowerPAK® SO-8
ベース品番	SQJ872