Name: SQJ244EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ244EP-T1_GE3TR-ND
Price: 358.6 JPY
Availability: InStock

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SQJ244EP-T1_GE3
DigiKey製品番号	SQJ244EP-T1_GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SQJ244EP-T1_GE3CT-ND - カットテープ（CT） SQJ244EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SQJ244EP-T1_GE3
商品概要	MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
メーカーの標準リードタイム	32 週間
客先参照品番
詳細な説明	MOSFET - アレイ 40V 20A（Tc）、 60A（Tc） 27W（Tc）、48W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8デュアル非対称
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SQJ244EP-T1_GE3 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET FET、MOSFETアレイ
メーカー	Vishay Siliconix
シリーズ	TrenchFET®
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
技術	MOSFET（金属酸化物）
構成	2N-チャンネル（デュアル）非対称
FET機能	-
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	20A（Tc）、 60A（Tc）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	11ミリオーム @ 4A、 10V、 4.5ミリオーム @ 10A、 10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	20nC @ 10V、 45nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1200pF @ 25V、 2800pF @ 25V
電力 - 最大	27W（Tc）、48W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	自動車
認定	AEC-Q101
取り付けタイプ	面実装
パッケージ/ケース	PowerPAK® SO-8デュアル
サプライヤデバイスパッケージ	PowerPAK® SO-8デュアル非対称
ベース品番	SQJ244