Name: SQD19P06-60L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD19P06-60L_GE3TR-ND
Price: 420.2 JPY
Availability: InStock

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SQD19P06-60L_GE3
DigiKey製品番号	SQD19P06-60L_GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SQD19P06-60L_GE3CT-ND - カットテープ（CT） SQD19P06-60L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SQD19P06-60L_GE3
商品概要	MOSFET P-CH 60V 20A TO252
メーカーの標準リードタイム	23 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 60 V 20A（Tc） 46W（Tc）面実装 TO-252AA
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SQD19P06-60L_GE3 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 41 nC @ 10 V
メーカー Vishay Siliconix	Vgs（最大） ±20V
シリーズ TrenchFET®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1490 pF @ 25 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	電力散逸（最大） 46W（Tc）
部品状況アクティブ	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
FETタイプ Pチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 20A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-252AA
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 55ミリオーム @ 19A、10V	ベース品番 SQD19
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 250µA

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関連リソース

代替品リスト（5）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
SQD19P06-60L_T4GE3	Vishay Siliconix	2,142	SQD19P06-60L_T4GE3CT-ND	¥390.00000	パラメータ等価
NP20P06SLG-E1-AY	Renesas Electronics Corporation	7,880	559-NP20P06SLG-E1-AYCT-ND	¥407.00000	類似
TJ15S06M3L(T6L1,NQ	Toshiba Semiconductor and Storage	3,452	264-TJ15S06M3L(T6L1,NQCT-ND	¥335.00000	類似
TSM480P06CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	1,463	TSM480P06CPROGCT-ND	¥210.00000	類似
ZXMP6A18KTC	Diodes Incorporated	6,372	ZXMP6A18KTCCT-ND	¥304.00000	類似