Name: IPD65R660CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND
Price: 515.9 JPY
Availability: InStock

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IPD65R660CFDAATMA1
DigiKey製品番号	448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IPD65R660CFDAATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IPD65R660CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPD65R660CFDAATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
メーカーの標準リードタイム	29 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 6A（Tc） 62.5W（Tc）面実装 PG-TO252-3
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPD65R660CFDAATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 20 nC @ 10 V
メーカー Infineon Technologies	Vgs（最大） ±20V
シリーズ CoolMOS™	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 543 pF @ 100 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	電力散逸（最大） 62.5W（Tc）
部品状況アクティブ	動作温度 -40°C～150°C（TJ）
FETタイプ Nチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 6A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 660ミリオーム @ 3.22A、10V	ベース品番 IPD65R660
Id印加時のVgs（th）（最大） 4.5V @ 214.55µA

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関連リソース

代替品リスト（3）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
TSM60NC390CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	4,840	1801-TSM60NC390CPROGCT-ND	¥563.00000	類似
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TSM60NC980CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	4,985	1801-TSM60NC980CPROGCT-ND	¥344.00000	類似