Name: IPD65R660CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND
Price: 412.5 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

IPD65R660CFDAATMA1
DigiKey製品番号	448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IPD65R660CFDAATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IPD65R660CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPD65R660CFDAATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
メーカーの標準リードタイム	27 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 6A（Tc） 62.5W（Tc）面実装 PG-TO252-3
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPD65R660CFDAATMA1 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	CoolMOS™
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	6A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	660ミリオーム @ 3.22A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4.5V @ 214.55µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	20 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	543 pF @ 100 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	62.5W（Tc）
動作温度	-40°C～150°C（TJ）
グレード	自動車
認定	AEC-Q101
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO252-3
パッケージ/ケース	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
ベース品番	IPD65R660