Name: SIZ200DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ200DT-T1-GE3TR-ND
Price: 272.8 JPY
Availability: OutOfStock

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SIZ200DT-T1-GE3
DigiKey製品番号	SIZ200DT-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SIZ200DT-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） SIZ200DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SIZ200DT-T1-GE3
商品概要	MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR
メーカーの標準リードタイム	28 週間
客先参照品番
詳細な説明	MOSFET - アレイ 30V 22A（Ta）、61A（Tc）、22A（Ta）、60A（Tc） 4.3W（Ta）、33W（Tc）面実装 8-PowerPair®（3.3x3.3）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SIZ200DT-T1-GE3 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET FET、MOSFETアレイ
メーカー	Vishay Siliconix
シリーズ	TrenchFET® Gen IV
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
技術	MOSFET（金属酸化物）
構成	2 Nチャンネル（デュアル）
FET機能	-
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	22A（Ta）、61A（Tc）、22A（Ta）、60A（Tc）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	5.5ミリオーム @ 10A、10V、5.8ミリオーム @ 10A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	28nC @ 10V、30nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1510pF @ 15V、 1600pF @ 15V
電力 - 最大	4.3W（Ta）、33W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
取り付けタイプ	面実装
パッケージ/ケース	8-PowerWDFN
サプライヤデバイスパッケージ	8-PowerPair®（3.3x3.3）
ベース品番	SIZ200