Name: SISS63DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS63DN-T1-GE3TR-ND
Price: 320.1 JPY
Availability: OutOfStock

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SISS63DN-T1-GE3
DigiKey製品番号	742-SISS63DN-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） 742-SISS63DN-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） 742-SISS63DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SISS63DN-T1-GE3
商品概要	MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
メーカーの標準リードタイム	22 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 20 V 35.1A（Ta）、127.5A（Tc） 5W（Ta）、65.8W（Tc）面実装 PowerPAK® 1212-8S
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SISS63DN-T1-GE3 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 1.5V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 236 nC @ 8 V
シリーズ TrenchFET® Gen III	Vgs（最大） ±12V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 7080 pF @ 10 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 5W（Ta）、65.8W（Tc）
FETタイプ Pチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 20 V	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8S
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 35.1A（Ta）、127.5A（Tc）	パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8S
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V、10V	ベース品番 SISS63
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2.7ミリオーム @ 15A、10V