Name: SISS61DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS61DN-T1-GE3TR-ND
Price: 332.2 JPY
Availability: InStock

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SISS61DN-T1-GE3
DigiKey製品番号	SISS61DN-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SISS61DN-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） SISS61DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SISS61DN-T1-GE3
商品概要	MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
メーカーの標準リードタイム	22 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 20 V 30.9A（Ta）、111.9A（Tc） 5W（Ta）、65.8W（Tc）面実装 PowerPAK® 1212-8S
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SISS61DN-T1-GE3 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 900mV @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 231 nC @ 10 V
シリーズ TrenchFET® Gen III	Vgs（最大） ±8V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 8740 pF @ 10 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 5W（Ta）、65.8W（Tc）
FETタイプ Pチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 20 V	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8S
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 30.9A（Ta）、111.9A（Tc）	パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8S
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 1.8V、4.5V	ベース品番 SISS61
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 3.5ミリオーム @ 15A、4.5V