
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
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SISF04DN-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | 742-SISF04DN-T1-GE3TR-ND - テープ&リール(TR) 742-SISF04DN-T1-GE3CT-ND - カット テープ(CT) 742-SISF04DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SISF04DN-T1-GE3 |
商品概要 | MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212 |
メーカーの標準リードタイム | 55 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | MOSFET - アレイ 30V 30A(Ta)、108A(Tc) 5.2W(Ta)、69.4W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SCD |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | SISF04DN-T1-GE3 モデル |
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カテゴリ | Id印加時のVgs(th)(最大) 2.3V @ 250µA |
メーカー Vishay Siliconix | Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 60nC @ 10V |
シリーズ | Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 2600pF @ 15V |
梱包形態 テープ&リール(TR) カット テープ(CT) Digi-Reel® | 電力 - 最大 5.2W(Ta)、69.4W(Tc) |
部品状況 アクティブ | 動作温度 -55°C~150°C(TJ) |
技術 MOSFET(金属酸化物) | 取り付けタイプ 面実装 |
構成 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン | パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8SCD |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V | サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8SCD |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 30A(Ta)、108A(Tc) | ベース品番 |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 4ミリオーム @ 7A、10V |
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カット テープ(CT) & Digi-Reel®
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥360.00000 | ¥360 |
| 10 | ¥230.20000 | ¥2,302 |
| 100 | ¥155.53000 | ¥15,553 |
| 500 | ¥123.57200 | ¥61,786 |
| 1,000 | ¥113.29500 | ¥113,295 |
テープ&リール(TR)
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 3,000 | ¥100.24867 | ¥300,746 |
| 6,000 | ¥93.68500 | ¥562,110 |
| 9,000 | ¥90.34267 | ¥813,084 |
| 15,000 | ¥88.79273 | ¥1,331,891 |
| 単価(消費税抜き): | ¥360.00000 |
|---|---|
| 単価(消費税込み): | ¥396.00000 |
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10 品目









