Name: SIS429DNT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS429DNT-T1-GE3-ND
Price: 25.55685 JPY
Availability: OutOfStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 50 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1350 pF @ 15 V
FETタイプ Pチャンネル	電力散逸（最大） 27.8W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 20A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 21ミリオーム @ 10.5A、10V	ベース品番 SIS429

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関連リソース

代替品リスト（3）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
RF4E070GNTR	Rohm Semiconductor	925	RF4E070GNTRCT-ND	¥125.00000	類似
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TSM150P03PQ33 RGG	Taiwan Semiconductor Corporation	19,076	TSM150P03PQ33RGGCT-ND	¥174.00000	類似

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価格はすべてJPYです

テープ＆リール（TR）

数量	単価	請求価格
6,000	¥23.23350	¥139,401

単価（消費税抜き）:	¥23.23350
単価（消費税込み）:	¥25.55685

SIS429DNT-T1-GE3