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Pチャンネル 30 V 2.5A（Ta） 700mW（Ta） 面実装 6-WEMT
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Pチャンネル 30 V 2.5A（Ta） 700mW（Ta） 面実装 6-WEMT
WEMT6 Series

RW1E025RPT2CR

DigiKey製品番号
RW1E025RPT2CRTR-ND - テープ＆リール（TR）
メーカー
Rohm Semiconductor
メーカー製品番号
RW1E025RPT2CR
商品概要
MOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT
客先参照品番
詳細な説明
Pチャンネル 30 V 2.5A（Ta） 700mW（Ta） 面実装 6-WEMT
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
RW1E025RPT2CR モデル
製品属性
型
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
Rohm Semiconductor
シリーズ
-
梱包形態
テープ＆リール（TR）
部品状況
生産中止品
FETタイプ
Pチャンネル
技術
MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
2.5A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
75ミリオーム @ 2.5A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）
2.5V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
5.2 nC @ 5 V
Vgs（最大）
±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
480 pF @ 10 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
700mW（Ta）
動作温度
150°C（TJ）
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
面実装
サプライヤデバイスパッケージ
6-WEMT
パッケージ/ケース
6-SMD、フラットリード
ベース品番
RW1E025
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