Name: SIHG24N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHG24N65E-GE3-ND
Price: 1325.5 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 122 nC @ 10 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±30V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2740 pF @ 100 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 250W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 24A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247AC
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-247-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 145ミリオーム @ 12A、10V	ベース品番 SIHG24

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関連リソース

代替品リスト（12）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
FCH110N65F-F155	onsemi	360	FCH110N65F-F155-ND	¥1,527.00000	類似
FCH150N65F-F155	onsemi	262	FCH150N65F-F155-ND	¥1,368.00000	類似
FCH170N60	onsemi	182	FCH170N60-ND	¥1,097.00000	類似
IPW60R160C6FKSA1	Infineon Technologies	13	IPW60R160C6FKSA1-ND	¥821.00000	類似
IPW60R165CPFKSA1	Infineon Technologies	270	IPW60R165CPFKSA1-ND	¥964.00000	類似