Name: SIHFBE30S-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHFBE30S-GE3TR-ND
Price: 471.9 JPY
Availability: InStock

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SIHFBE30S-GE3
DigiKey製品番号	742-SIHFBE30S-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） 742-SIHFBE30S-GE3CT-ND - カットテープ（CT） 742-SIHFBE30S-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SIHFBE30S-GE3
商品概要	MOSFET N-CHANNEL 800V
メーカーの標準リードタイム	37 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 800 V 4.1A（Tc） 125W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 78 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1300 pF @ 25 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 125W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 800 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 4.1A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-263（D2PAK）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 3オーム @ 2.5A、10V

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関連リソース

代替品リスト（3）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IRFBE30SPBF	Vishay Siliconix	960	IRFBE30SPBF-ND	¥746.00000	パラメータ等価
IRFBE30STRLPBF	Vishay Siliconix	135	IRFBE30STRLPBFCT-ND	¥811.00000	パラメータ等価
SIHFBE30STRL-GE3	Vishay Siliconix	800	742-SIHFBE30STRL-GE3CT-ND	¥429.00000	パラメータ等価

在庫：960個

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数量

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テープ＆リール（TR）

数量	単価	請求価格
1,000	¥152.31200	¥152,312

メーカーの標準パッケージ

カットテープ（CT）

Digi-Reel®

*すべてのDigi-Reelのご注文には、リール料金（¥800）が追加されます。

単価（消費税抜き）:	¥429.00000
単価（消費税込み）:	¥471.90000

SIHFBE30S-GE3