Name: SIHFBE30STRL-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHFBE30STRL-GE3TR-ND
Price: 471.9 JPY
Availability: InStock

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SIHFBE30STRL-GE3
DigiKey製品番号	742-SIHFBE30STRL-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） 742-SIHFBE30STRL-GE3CT-ND - カットテープ（CT） 742-SIHFBE30STRL-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SIHFBE30STRL-GE3
商品概要	MOSFET N-CHANNEL 800V
メーカーの標準リードタイム	37 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 800 V 4.1A（Tc） 125W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 78 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1300 pF @ 25 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 125W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 800 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 4.1A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-263（D2PAK）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 3オーム @ 2.5A、10V

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カットテープ（CT） & Digi-Reel®

数量	単価	請求価格
1	¥429.00000	¥429

*すべてのDigi-Reelのご注文には、リール料金（¥800）が追加されます。

テープ＆リール（TR）

数量	単価	請求価格
800	¥152.31375	¥121,851

メーカーの標準パッケージ

単価（消費税抜き）:	¥429.00000
単価（消費税込み）:	¥471.90000

SIHFBE30STRL-GE3