
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。


SIHB24N80AE-GE3 | |
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DigiKey製品番号 | 742-SIHB24N80AE-GE3-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SIHB24N80AE-GE3 |
商品概要 | MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK |
メーカーの標準リードタイム | 20 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 800 V 21A(Tc) 208W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK) |
データシート | データシート |
型 | 商品概要 | すべて選択 |
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カテゴリ | ||
メーカー | ||
シリーズ | - | |
梱包形態 | チューブ | |
部品状況 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
技術 | ||
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 800 V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | ||
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 184ミリオーム @ 10A、10V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 4V @ 250µA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 89 nC @ 10 V | |
Vgs(最大) | ±30V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 1836 pF @ 100 V | |
FET機能 | - | |
電力散逸(最大) | 208W(Tc) | |
動作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263(D2PAK) | |
パッケージ/ケース | ||
ベース品番 |
数量 | 単価 | 請求価格 |
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1 | ¥474.00000 | ¥474 |
50 | ¥335.04000 | ¥16,752 |
100 | ¥321.10000 | ¥32,110 |
500 | ¥265.15600 | ¥132,578 |
1,000 | ¥246.87400 | ¥246,874 |
2,000 | ¥243.63900 | ¥487,278 |
単価(消費税抜き): | ¥474.00000 |
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単価(消費税込み): | ¥521.40000 |