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マーケットプレイス製品
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なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
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SIHB11N80AE-GE3 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | 742-SIHB11N80AE-GE3-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SIHB11N80AE-GE3 |
商品概要 | MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK |
メーカーの標準リードタイム | 25 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 800 V 8A（Tc） 78W（Tc） 面実装 TO-263（D2PAK） |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | SIHB11N80AE-GE3 モデル |
製品属性
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | ||
シリーズ | ||
梱包形態 | チューブ | |
部品状況 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
技術 | ||
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 800 V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | ||
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 450ミリオーム @ 5.5A、10V | |
Id印加時のVgs（th）（最大） | 4V @ 250µA | |
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 42 nC @ 10 V | |
Vgs（最大） | ±30V | |
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 804 pF @ 100 V | |
FET機能 | - | |
電力散逸（最大） | 78W（Tc） | |
動作温度 | -55°C～150°C（TJ） | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263（D2PAK） | |
パッケージ/ケース | ||
ベース品番 |
在庫：924個
追加の入荷予定数量を確認
数量
価格はすべてJPYです
チューブ
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥469.00000 | ¥469 |
| 10 | ¥303.40000 | ¥3,034 |
| 100 | ¥209.32000 | ¥20,932 |
| 500 | ¥169.09000 | ¥84,545 |
| 1,000 | ¥156.16600 | ¥156,166 |
| 2,000 | ¥145.30050 | ¥290,601 |
| 5,000 | ¥141.54500 | ¥707,725 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥469.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥515.90000 |
日本