Name: SI8466EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8466EDB-T2-E1TR-ND
Price: 41.8 JPY
Availability: InStock

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SI8466EDB-T2-E1
DigiKey製品番号	SI8466EDB-T2-E1TR-ND - テープ＆リール（TR） SI8466EDB-T2-E1CT-ND - カットテープ（CT） SI8466EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI8466EDB-T2-E1
商品概要	MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
メーカーの標準リードタイム	22 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 8 V 3.6A（Ta） 780mW（Ta）、1.8W（Tc）面実装 4-Microfoot
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SI8466EDB-T2-E1 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Vishay Siliconix
シリーズ	TrenchFET®
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	8 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	3.6A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	1.2V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	43ミリオーム @ 2A、4.5V
Id印加時のVgs（th）（最大）	700mV @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	13 nC @ 4.5 V
Vgs（最大）	±5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	710 pF @ 4 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	780mW（Ta）、1.8W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	4-Microfoot
パッケージ/ケース	4-UFBGA、WLCSP
ベース品番	SI8466