Name: SI7322ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7322ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 204.6 JPY
Availability: InStock

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SI7322ADN-T1-GE3
DigiKey製品番号	SI7322ADN-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SI7322ADN-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） SI7322ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI7322ADN-T1-GE3
商品概要	MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK
メーカーの標準リードタイム	42 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 15.1A（Tc） 26W（Tc）面実装 PowerPAK® 1212-8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SI7322ADN-T1-GE3 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 13 nC @ 10 V
シリーズ ThunderFET®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 360 pF @ 50 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 26W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 15.1A（Tc）	パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 SI7322
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 57ミリオーム @ 5.5A、 10V

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関連リソース

代替品リスト（5）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
DI035N10PT-AQ	Diotec Semiconductor	3,669	4878-DI035N10PT-AQCT-ND	¥199.00000	類似
RQ3G150GNTB	Rohm Semiconductor	5,684	RQ3G150GNTBCT-ND	¥306.00000	類似
RQ3L050GNTB	Rohm Semiconductor	6,556	RQ3L050GNTBCT-ND	¥216.00000	類似
RQ5E030RPTL	Rohm Semiconductor	1,506	RQ5E030RPTLCT-ND	¥151.00000	類似
RQ7E110AJTCR	Rohm Semiconductor	337	RQ7E110AJTCRCT-ND	¥266.00000	類似