Name: RQ3L050GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3L050GNTBTR-ND
Price: 192.5 JPY
Availability: InStock

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タシートを参照ください。

RQ3L050GNTB
DigiKey製品番号	RQ3L050GNTBTR-ND - テープ＆リール（TR） RQ3L050GNTBCT-ND - カットテープ（CT） RQ3L050GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Rohm Semiconductor
メーカー製品番号	RQ3L050GNTB
商品概要	MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 60 V 12A（Tc） 14.8W（Tc）面実装 8-HSMT（3.2x3）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	RQ3L050GNTB モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Rohm Semiconductor
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	新規設計向けに不適合
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	60 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	12A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	61ミリオーム @ 5A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.5V @ 25µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	2.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	300 pF @ 30 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	14.8W（Tc）
動作温度	150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	8-HSMT（3.2x3）
パッケージ/ケース	8-PowerVDFN
ベース品番	RQ3L050