Name: SI5922DU-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI5922DU-T1-GE3TR-ND
Price: 140.8 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SI5922DU-T1-GE3
DigiKey製品番号	742-SI5922DU-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） 742-SI5922DU-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） 742-SI5922DU-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI5922DU-T1-GE3
商品概要	MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
メーカーの標準リードタイム	33 週間
客先参照品番
詳細な説明	MOSFET - アレイ 30V 6A（Tc） 10.4W 面実装 PowerPAK® ChipFetデュアル
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SI5922DU-T1-GE3 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET FET、MOSFETアレイ
メーカー	Vishay Siliconix
シリーズ	TrenchFET®
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
技術	MOSFET（金属酸化物）
構成	2 Nチャンネル（デュアル）
FET機能	-
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	6A（Tc）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	19.2ミリオーム @ 5A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	7.1nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	765pF @ 15V
電力 - 最大	10.4W
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
取り付けタイプ	面実装
パッケージ/ケース	PowerPAK® ChipFetデュアル
サプライヤデバイスパッケージ	PowerPAK® ChipFetデュアル
ベース品番	SI5922