
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
SI5515CDC-T1-GE3 | |
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DigiKey製品番号 | SI5515CDC-T1-GE3TR-ND - テープ&リール(TR) SI5515CDC-T1-GE3CT-ND - カット テープ(CT) SI5515CDC-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SI5515CDC-T1-GE3 |
商品概要 | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 |
メーカーの標準リードタイム | 27 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | MOSFET - アレイ 20V 4A 3.1W 面実装 1206-8 ChipFET™ |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | SI5515CDC-T1-GE3 モデル |
型 | 商品概要 | すべて選択 |
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カテゴリ | ||
メーカー | Vishay Siliconix | |
シリーズ | ||
梱包形態 | テープ&リール(TR) カット テープ(CT) Digi-Reel® | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | MOSFET(金属酸化物) | |
構成 | NおよびPチャンネル | |
FET機能 | 論理レベルゲート | |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 20V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 4A | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 36ミリオーム @ 6A、4.5V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 800mV @ 250µA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 11.3nC @ 5V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 632pF @ 10V | |
電力 - 最大 | 3.1W | |
動作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
パッケージ/ケース | 8-SMD、フラットリード | |
サプライヤデバイスパッケージ | 1206-8 ChipFET™ | |
ベース品番 |
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥194.00000 | ¥194 |
| 10 | ¥122.20000 | ¥1,222 |
| 100 | ¥80.49000 | ¥8,049 |
| 500 | ¥62.53200 | ¥31,266 |
| 1,000 | ¥56.75000 | ¥56,750 |
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 3,000 | ¥49.40667 | ¥148,220 |
| 6,000 | ¥45.70967 | ¥274,258 |
| 9,000 | ¥43.82656 | ¥394,439 |
| 15,000 | ¥42.16233 | ¥632,435 |
| 単価(消費税抜き): | ¥194.00000 |
|---|---|
| 単価(消費税込み): | ¥213.40000 |




