Name: SI4946CDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4946CDY-T1-GE3TR-ND
Price: 262.9 JPY
Availability: OutOfStock

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SI4946CDY-T1-GE3
DigiKey製品番号	SI4946CDY-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SI4946CDY-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） SI4946CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI4946CDY-T1-GE3
商品概要	MOSFET 2N-CH 60V 5.2A 8SO
メーカーの標準リードタイム	17 週間
客先参照品番
詳細な説明	MOSFET - アレイ 60V 5.2A（Ta）、6.1A（Tc） 2W（Ta）、2.8W（Tc）面実装 8-SO
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SI4946CDY-T1-GE3 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET FET、MOSFETアレイ	Id印加時のVgs（th）（最大） 3V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 10nC @ 10V
シリーズ TrenchFET®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 350pF @ 30V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	電力 - 最大 2W（Ta）、2.8W（Tc）
部品状況アクティブ	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
構成 2 Nチャンネル（デュアル）	パッケージ/ケース 8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60V	サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 5.2A（Ta）、6.1A（Tc）	ベース品番 SI4946
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 40.9ミリオーム @ 5.2A、10V

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