Name: SI4946CDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4946CDY-T1-GE3TR-ND
Price: 238.7 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SI4946CDY-T1-GE3
DigiKey製品番号	SI4946CDY-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SI4946CDY-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） SI4946CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI4946CDY-T1-GE3
商品概要	MOSFET 2N-CH 60V 5.2A 8SO
メーカーの標準リードタイム	33 週間
客先参照品番
詳細な説明	MOSFET - アレイ 60V 5.2A（Ta）、6.1A（Tc） 2W（Ta）、2.8W（Tc）面実装 8-SO
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SI4946CDY-T1-GE3 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET FET、MOSFETアレイ
メーカー	Vishay Siliconix
シリーズ	TrenchFET®
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
技術	MOSFET（金属酸化物）
構成	2 Nチャンネル（デュアル）
FET機能	-
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	5.2A（Ta）、6.1A（Tc）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	40.9ミリオーム @ 5.2A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	10nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	350pF @ 30V
電力 - 最大	2W（Ta）、2.8W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
取り付けタイプ	面実装
パッケージ/ケース	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）
サプライヤデバイスパッケージ	8-SO
ベース品番	SI4946