Name: SI2333DDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2333DDS-T1-GE3TR-ND
Price: 116.6 JPY
Availability: InStock

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SI2333DDS-T1-GE3
DigiKey製品番号	SI2333DDS-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SI2333DDS-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） SI2333DDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI2333DDS-T1-GE3
商品概要	MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
メーカーの標準リードタイム	13 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 12 V 6A（Tc） 1.2W（Ta）、1.7W（Tc）面実装 SOT-23-3（TO-236）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SI2333DDS-T1-GE3 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Vishay Siliconix
シリーズ	TrenchFET®
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Pチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	12 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	6A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	1.5V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	28ミリオーム @ 5A、4.5V
Id印加時のVgs（th）（最大）	1V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	35 nC @ 8 V
Vgs（最大）	±8V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1275 pF @ 6 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	1.2W（Ta）、1.7W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	SOT-23-3（TO-236）
パッケージ/ケース	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース品番	SI2333

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