SI4425BDY-T1-E3 Vishay Siliconix | ディスクリート半導体製品

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なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SI4425BDY-T1-E3
DigiKey製品番号	SI4425BDY-T1-E3TR-ND - テープ＆リール（TR） SI4425BDY-T1-E3CT-ND - カットテープ（CT） SI4425BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI4425BDY-T1-E3
商品概要	MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 30 V 8.8A（Ta） 1.5W（Ta）面実装 8-SOIC
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SI4425BDY-T1-E3 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Vishay Siliconix
シリーズ	TrenchFET®
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	生産中止品
FETタイプ	Pチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	8.8A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	12ミリオーム @ 11.4A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	100 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
電力散逸（最大）	1.5W（Ta）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	8-SOIC
パッケージ/ケース	8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm）
ベース品番	SI4425