Name: RS1E200GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E200GNTBTR-ND
Price: 240.9 JPY
Availability: InStock

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RS1E200GNTB
DigiKey製品番号	RS1E200GNTBTR-ND - テープ＆リール（TR） RS1E200GNTBCT-ND - カットテープ（CT） RS1E200GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Rohm Semiconductor
メーカー製品番号	RS1E200GNTB
商品概要	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 20A（Ta）、57A（Tc） 3W（Ta）、25W（Tc）面実装 8-HSOP
データシート	データシート
EDA/CADモデル	RS1E200GNTB モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 1mA
メーカー Rohm Semiconductor	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 16.8 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1080 pF @ 15 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 3W（Ta）、25W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 20A（Ta）、57A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ 8-HSOP
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 4.6ミリオーム @ 20A、10V	ベース品番 RS1E