設定
迅速な配送
送料は無料
Incoterms
お支払い方法
マーケットプレイス製品
SI4276DY-T1-GE3 は生産中止品です。現在は生産されていません。
購入可能な代替品:
類似
パラメータ等価
類似
類似
類似
類似
類似
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
SI4276DY-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | SI4276DY-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SI4276DY-T1-GE3 |
商品概要 | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | MOSFET - アレイ 30V 8A 3.6W、2.8W 面実装 8-SOIC |
データシート | データシート |
製品属性
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | Vishay Siliconix | |
シリーズ | ||
梱包形態 | テープ＆リール（TR） | |
部品状況 | 生産中止品 | |
技術 | MOSFET（金属酸化物） | |
構成 | 2 Nチャンネル（デュアル） | |
FET機能 | 論理レベルゲート | |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 30V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 8A | |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 15.3ミリオーム @ 9.5A、10V | |
Id印加時のVgs（th）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 26nC @ 10V | |
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 1000pF @ 15V | |
電力 - 最大 | 3.6W、2.8W | |
動作温度 | -55°C～150°C（TJ） | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
パッケージ/ケース | 8-SOIC（幅0.154インチ、3.90mm） | |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
ベース品番 |
生産中止品
日本