
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
SI4143DY-T1-GE3 | |
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DigiKey製品番号 | SI4143DY-T1-GE3TR-ND - テープ&リール(TR) SI4143DY-T1-GE3CT-ND - カット テープ(CT) |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SI4143DY-T1-GE3 |
商品概要 | MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO |
メーカーの標準リードタイム | 19 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Pチャンネル 30 V 25.3A(Tc) 6W(Tc) 面実装 8-SOIC |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | SI4143DY-T1-GE3 モデル |
型 | 商品概要 | すべて選択 |
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カテゴリ | ||
メーカー | ||
シリーズ | ||
梱包形態 | テープ&リール(TR) カット テープ(CT) | |
部品状況 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
技術 | ||
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 30 V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | ||
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V、10V | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 6.2ミリオーム @ 12A、10V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 2.5V @ 250µA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 167 nC @ 10 V | |
Vgs(最大) | ±25V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 6630 pF @ 15 V | |
FET機能 | - | |
電力散逸(最大) | 6W(Tc) | |
動作温度 | -55°C~150°C(TA) | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
パッケージ/ケース | ||
ベース品番 |
数量 | 単価 | 請求価格 |
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1 | ¥173.00000 | ¥173 |
10 | ¥116.10000 | ¥1,161 |
100 | ¥76.30000 | ¥7,630 |
500 | ¥59.18000 | ¥29,590 |
1,000 | ¥53.66800 | ¥53,668 |
数量 | 単価 | 請求価格 |
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2,500 | ¥47.69600 | ¥119,240 |
5,000 | ¥44.00480 | ¥220,024 |
7,500 | ¥42.12453 | ¥315,934 |
12,500 | ¥40.01176 | ¥500,147 |
17,500 | ¥39.46531 | ¥690,643 |
単価(消費税抜き): | ¥173.00000 |
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単価(消費税込み): | ¥190.30000 |