Name: SI2369BDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2369BDS-T1-GE3TR-ND
Price: 135.3 JPY
Availability: InStock

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SI2369BDS-T1-GE3
DigiKey製品番号	742-SI2369BDS-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） 742-SI2369BDS-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） 742-SI2369BDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI2369BDS-T1-GE3
商品概要	MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
メーカーの標準リードタイム	55 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 30 V 5.6A（Ta）、7.5A（Tc） 1.3W（Ta）、2.5W（Tc）面実装 SOT-23-3（TO-236）
データシート	データシート

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.2V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 19.5 nC @ 10 V
シリーズ TrenchFET® Gen IV	Vgs（最大） +16V、-20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 745 pF @ 15 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 1.3W（Ta）、2.5W（Tc）
FETタイプ Pチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3（TO-236）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 5.6A（Ta）、7.5A（Tc）	パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 SI2369
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 27ミリオーム @ 5A、10V