Name: SI2369DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2369DS-T1-GE3TR-ND
Price: 155.1 JPY
Availability: OutOfStock

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SI2369DS-T1-GE3
DigiKey製品番号	SI2369DS-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SI2369DS-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） SI2369DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI2369DS-T1-GE3
商品概要	MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
メーカーの標準リードタイム	22 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 30 V 7.6A（Tc） 1.25W（Ta）、2.5W（Tc）面実装 SOT-23-3（TO-236）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SI2369DS-T1-GE3 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 36 nC @ 10 V
シリーズ TrenchFET®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1295 pF @ 15 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 1.25W（Ta）、2.5W（Tc）
FETタイプ Pチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3（TO-236）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 7.6A（Tc）	パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 SI2369
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 29ミリオーム @ 5.4A、10V

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関連リソース

代替品リスト（5）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
SI2369DS-T1-BE3	Vishay Siliconix	1,210	742-SI2369DS-T1-BE3CT-ND	¥141.00000	直接
RQ5E040AJTCL	Rohm Semiconductor	5,728	RQ5E040AJTCLCT-ND	¥140.00000	類似
RQ5E040TNTL	Rohm Semiconductor	4,150	RQ5E040TNTLCT-ND	¥161.00000	類似
RQ5E070BNTCL	Rohm Semiconductor	771	RQ5E070BNTCLCT-ND	¥201.00000	類似
RRE07VTM6SFHTR	Rohm Semiconductor	3,175	RRE07VTM6SFHCT-ND	¥81.00000	類似