Name: SI2323DDS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2323DDS-T1-BE3TR-ND
Price: 166.1 JPY
Availability: InStock

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SI2323DDS-T1-BE3
DigiKey製品番号	742-SI2323DDS-T1-BE3TR-ND - テープ＆リール（TR） 742-SI2323DDS-T1-BE3CT-ND - カットテープ（CT） 742-SI2323DDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI2323DDS-T1-BE3
商品概要	P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
メーカーの標準リードタイム	38 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 20 V 4.1A（Ta）、5.3A（Tc） 960mW（Ta）、1.7W（Tc）面実装 SOT-23-3（TO-236）
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 1V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 36 nC @ 8 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±8V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1160 pF @ 10 V
FETタイプ Pチャンネル	電力散逸（最大） 960mW（Ta）、1.7W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 20 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 4.1A（Ta）、5.3A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3（TO-236）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 1.8V、4.5V	パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 39ミリオーム @ 4.1A、4.5V

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関連リソース

代替品リスト（3）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
TSM260P02CX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	17,434	1801-TSM260P02CXRFGCT-ND	¥143.00000	類似
TSM500P02CX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	89,780	TSM500P02CXRFGCT-ND	¥115.00000	類似
TSM650P02CX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	49,287	TSM650P02CXRFGCT-ND	¥95.00000	類似