SI2335DS-T1-E3 Vishay Siliconix | ディスクリート半導体製品

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Vishay Siliconix

在庫あり: 10,938

単価 : ¥95.00000

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なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Vishay Siliconix
シリーズ	TrenchFET®
梱包形態	テープ＆リール（TR）
部品状況	生産中止品
FETタイプ	Pチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	12 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	3.2A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	1.8V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	51ミリオーム @ 4A、4.5V
Id印加時のVgs（th）（最大）	450mV @ 250µA（最小）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	15 nC @ 4.5 V
Vgs（最大）	±8V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1225 pF @ 6 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	750mW（Ta）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	SOT-23-3（TO-236）
パッケージ/ケース	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース品番	SI2335