Name: TPW4R50ANH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPW4R50ANHL1QTR-ND
Price: 617.1 JPY
Availability: InStock

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タシートを参照ください。

TPW4R50ANH,L1Q
DigiKey製品番号	TPW4R50ANHL1QTR-ND - テープ＆リール（TR） TPW4R50ANHL1QCT-ND - カットテープ（CT） TPW4R50ANHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TPW4R50ANH,L1Q
商品概要	MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 92A（Tc） 800mW（Ta）、142W（Tc）面実装 8-DSOP Advance
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TPW4R50ANH,L1Q モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	U-MOSVIII-H
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	92A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	4.5ミリオーム @ 46A、 10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	58 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	5200 pF @ 50 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	800mW（Ta）、142W（Tc）
動作温度	150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	8-DSOP Advance
パッケージ/ケース	8-PowerVDFN
ベース品番	TPW4R50