Name: TPN6R003NL,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN6R003NLLQTR-ND
Price: 291.5 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

TPN6R003NL,LQ
DigiKey製品番号	TPN6R003NLLQTR-ND - テープ＆リール（TR） TPN6R003NLLQCT-ND - カットテープ（CT） TPN6R003NLLQDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TPN6R003NL,LQ
商品概要	MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 27A（Tc） 700mW（Ta）、32W（Tc）面実装 8-TSON Advance（3.1x3.1）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TPN6R003NL,LQ モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	U-MOSVIII-H
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	27A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	6ミリオーム @ 13.5A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.3V @ 200µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	17 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1400 pF @ 15 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	700mW（Ta）、32W（Tc）
動作温度	150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	8-TSON Advance（3.1x3.1）
パッケージ/ケース	8-PowerVDFN
ベース品番	TPN6R003