Name: TPH8R80ANH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH8R80ANHL1QTR-ND
Price: 464.2 JPY
Availability: InStock

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タシートを参照ください。

TPH8R80ANH,L1Q
DigiKey製品番号	TPH8R80ANHL1QTR-ND - テープ＆リール（TR） TPH8R80ANHL1QCT-ND - カットテープ（CT） TPH8R80ANHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TPH8R80ANH,L1Q
商品概要	MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 32A（Tc） 1.6W（Ta）、61W（Tc）面実装 8-SOP Advance（5x5）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TPH8R80ANH,L1Q モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	U-MOSVIII-H
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	32A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	8.8ミリオーム @ 16A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 500µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	33 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2800 pF @ 50 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	1.6W（Ta）、61W（Tc）
動作温度	150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	8-SOP Advance（5x5）
パッケージ/ケース	8-PowerVDFN
ベース品番	TPH8R80