Name: TPH6400ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH6400ENHL1QTR-ND
Price: 378.4 JPY
Availability: InStock

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タシートを参照ください。

TPH6400ENH,L1Q
DigiKey製品番号	TPH6400ENHL1QTR-ND - テープ＆リール（TR） TPH6400ENHL1QCT-ND - カットテープ（CT） TPH6400ENHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TPH6400ENH,L1Q
商品概要	MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 200 V 13A（Ta） 1.6W（Ta）、57W（Tc）面実装 8-SOP Advance（5x5）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TPH6400ENH,L1Q モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	U-MOSVIII-H
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	13A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	64ミリオーム @ 6.5A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 300µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	11.2 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1100 pF @ 100 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	1.6W（Ta）、57W（Tc）
動作温度	150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	8-SOP Advance（5x5）
パッケージ/ケース	8-PowerVDFN
ベース品番	TPH6400