Name: TK9J90E,S1E
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK9J90ES1E-ND
Price: 675.4 JPY
Availability: OutOfStock

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なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

TK9J90E,S1E
DigiKey製品番号	TK9J90ES1E-ND
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TK9J90E,S1E
商品概要	MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 900 V 9A（Ta） 250W（Tc）スルーホール TO-3P（N）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TK9J90E,S1E モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	-
梱包形態	チューブ
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	900 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	9A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	1.3オーム @ 4.5A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 900µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	46 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±30V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2000 pF @ 25 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	250W（Tc）
動作温度	150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ	TO-3P（N）
パッケージ/ケース	TO-3P-3、SC-65-3
ベース品番	TK9J90