Name: TK55S10N1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK55S10N1LQTR-ND
Price: 715 JPY
Availability: InStock

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TK55S10N1,LQ
DigiKey製品番号	TK55S10N1LQTR-ND - テープ＆リール（TR） TK55S10N1LQCT-ND - カットテープ（CT） TK55S10N1LQDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TK55S10N1,LQ
商品概要	MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
メーカーの標準リードタイム	12 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 55A（Ta） 157W（Tc）面実装 DPAK+
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TK55S10N1,LQ モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 500µA
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 49 nC @ 10 V
シリーズ U-MOSVIII-H	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 3280 pF @ 10 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 157W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ DPAK+
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 55A（Ta）	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 TK55S10
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 6.5ミリオーム @ 27.5A、10V