Name: TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)TR-ND
Price: 310.2 JPY
Availability: InStock

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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
DigiKey製品番号	264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)TR-ND - テープ＆リール（TR） 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)CT-ND - カットテープ（CT） 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
商品概要	MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 60 V 8A（Ta） 27W（Tc）面実装 DPAK+
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TJ8S06M3L(T6L1,NQ) モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	U-MOSVI
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Pチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	60 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	8A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	104ミリオーム @ 4A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	19 nC @ 10 V
Vgs（最大）	+10V、-20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	890 pF @ 10 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	27W（Tc）
動作温度	175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	DPAK+
パッケージ/ケース	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
ベース品番	TJ8S06