Name: TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ50S06M3L(T6L1NQTR-ND
Price: 522.5 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

TJ50S06M3L(T6L1,NQ
DigiKey製品番号	264-TJ50S06M3L(T6L1NQTR-ND - テープ＆リール（TR） 264-TJ50S06M3L(T6L1NQCT-ND - カットテープ（CT） 264-TJ50S06M3L(T6L1NQDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TJ50S06M3L(T6L1,NQ
商品概要	MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
メーカーの標準リードタイム	12 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 60 V 50A（Ta） 90W（Tc）面実装 DPAK+
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TJ50S06M3L(T6L1,NQ モデル

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 124 nC @ 10 V
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs（最大） +10V、-20V
シリーズ U-MOSVI	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 6290 pF @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	電力散逸（最大） 90W（Tc）
部品状況アクティブ	動作温度 175°C（TJ）
FETタイプ Pチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 50A（Ta）	サプライヤデバイスパッケージ DPAK+
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V、10V	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 13.8ミリオーム @ 25A、10V	ベース品番 TJ50S06
Id印加時のVgs（th）（最大） 3V @ 1mA