Name: TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ60S06M3L(T6L1,NQTR-ND
Price: 575.3 JPY
Availability: InStock

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TJ60S06M3L(T6L1,NQ
DigiKey製品番号	264-TJ60S06M3L(T6L1,NQTR-ND - テープ＆リール（TR） 264-TJ60S06M3L(T6L1,NQCT-ND - カットテープ（CT） 264-TJ60S06M3L(T6L1,NQDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TJ60S06M3L(T6L1,NQ
商品概要	MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
メーカーの標準リードタイム	12 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 60 V 60A（Ta） 100W（Tc）面実装 DPAK+
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TJ60S06M3L(T6L1,NQ モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3V @ 1mA
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 156 nC @ 10 V
シリーズ U-MOSVI	Vgs（最大） +10V、-20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 7760 pF @ 10 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 100W（Tc）
FETタイプ Pチャンネル	動作温度 175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	サプライヤデバイスパッケージ DPAK+
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 60A（Ta）	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V、10V	ベース品番 TJ60S06
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 11.2ミリオーム @ 30A、10V

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関連リソース

代替品リスト（2）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
SQD50P06-15L_GE3	Vishay Siliconix	3,018	SQD50P06-15L_GE3CT-ND	¥6,375.00000	類似
SUD50P06-15-GE3	Vishay Siliconix	34,302	SUD50P06-15-GE3CT-ND	¥5,519.00000	類似