SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage | ディスクリート半導体製品

SSM6K211FE,LF は生産中止品です。現在は生産されていません。

購入可能な代替品:

メーカー推奨品

Toshiba Semiconductor and Storage

在庫あり: 0

単価 : ¥0.00000

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SSM6K211FE,LF
DigiKey製品番号	SSM6K211FELFTR-ND - テープ＆リール（TR） SSM6K211FELFCT-ND - カットテープ（CT） SSM6K211FELFDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	SSM6K211FE,LF
商品概要	MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 20 V 3.2A（Ta） 500mW（Ta）面実装 ES6
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SSM6K211FE,LF モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	U-MOSIII
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	生産中止品
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	20 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	3.2A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	1.5V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	47ミリオーム @ 2A、4.5V
Id印加時のVgs（th）（最大）	1V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	10.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大）	±10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	510 pF @ 10 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	500mW（Ta）
動作温度	150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	ES6
パッケージ/ケース	SOT-563、SOT-666
ベース品番	SSM6K211