Name: SSM6J212FE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J212FELFTR-ND
Price: 125.4 JPY
Availability: OutOfStock

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Toshiba Semiconductor and Storage

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単価 : ¥114.00000

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SSM6J212FE,LF
DigiKey製品番号	SSM6J212FELFTR-ND - テープ＆リール（TR） SSM6J212FELFCT-ND - カットテープ（CT） SSM6J212FELFDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	SSM6J212FE,LF
商品概要	MOSFET P-CH 20V 4A ES6
メーカーの標準リードタイム	12 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 20 V 4A（Ta） 500mW（Ta）面実装 ES6
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SSM6J212FE,LF モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	U-MOSVI
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Pチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	20 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	4A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	1.5V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	40.7ミリオーム @ 3A、4.5V
Id印加時のVgs（th）（最大）	1V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	14.1 nC @ 4.5 V
Vgs（最大）	±8V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	970 pF @ 10 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	500mW（Ta）
動作温度	150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	ES6
パッケージ/ケース	SOT-563、SOT-666
ベース品番	SSM6J212