Name: SSM6J214FE(TE85L,F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J214FE(TE85LFTR-ND
Price: 89.1 JPY
Availability: InStock

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タシートを参照ください。

SSM6J214FE(TE85L,F
DigiKey製品番号	SSM6J214FE(TE85LFTR-ND - テープ＆リール（TR） SSM6J214FE(TE85LFCT-ND - カットテープ（CT） SSM6J214FE(TE85LFDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	SSM6J214FE(TE85L,F
商品概要	MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
メーカーの標準リードタイム	12 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 30 V 3.6A（Ta） 500mW（Ta）面実装 ES6
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SSM6J214FE(TE85L,F モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	U-MOSVI
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Pチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	3.6A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	1.8V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	50ミリオーム @ 3A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	1.2V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	7.9 nC @ 4.5 V
Vgs（最大）	±12V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	560 pF @ 15 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	500mW（Ta）
動作温度	150°C
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	ES6
パッケージ/ケース	SOT-563、SOT-666
ベース品番	SSM6J214

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在庫：10,328個

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テープ＆リール（TR）

数量	単価	請求価格
4,000	¥16.36675	¥65,467
8,000	¥15.69863	¥125,589
12,000	¥15.44808	¥185,377
20,000	¥15.07985	¥301,597
28,000	¥14.53929	¥407,100
40,000	¥14.01385	¥560,554
100,000	¥13.91723	¥1,391,723