SSM3J114TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage | ディスクリート半導体製品

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なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SSM3J114TU(TE85L)
DigiKey製品番号	SSM3J114TU(TE85L)TR-ND - テープ＆リール（TR） SSM3J114TU(TE85L)CT-ND - カットテープ（CT）
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	SSM3J114TU(TE85L)
商品概要	MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 20 V 1.8A（Ta） 500mW（Ta）面実装 UFM
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SSM3J114TU(TE85L) モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT）
部品状況	生産中止品
FETタイプ	Pチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	20 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	1.8A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	1.5V、4V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	149ミリオーム @ 600mA、4V
Id印加時のVgs（th）（最大）	1V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	7.7 nC @ 4 V
Vgs（最大）	±8V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	331 pF @ 10 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	500mW（Ta）
動作温度	150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	UFM
パッケージ/ケース	3-SMD、フラットリード
ベース品番	SSM3J114