Name: GT50JR21(STA1,E,S)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT50JR21(STA1ES)-ND
Price: 1155 JPY
Availability: InStock

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GT50JR21(STA1,E,S)
DigiKey製品番号	264-GT50JR21(STA1ES)-ND
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	GT50JR21(STA1,E,S)
商品概要	IGBT 600V 50A TO-3P
メーカーの標準リードタイム	12 週間
客先参照品番
詳細な説明	IGBT 600 V 50 A 230 W スルーホール TO-3P（N）
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ IGBT シングルIGBT
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	-
梱包形態	チューブ
部品状況	アクティブ
IGBTタイプ	-
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	600 V
電流 - コレクタ（Ic）（最大）	50 A
電流 - パルス形コレクタ（Icm）	100 A
Vce（on）（最大） @ Vge、Ic	2V @ 15V、50A
電力 - 最大	230 W
スイッチングエネルギー	-
入力タイプ	標準
25°CでのTd（オン/オフ）	-
テスト条件	-
動作温度	175°C（TJ）
取り付けタイプ	スルーホール
パッケージ/ケース	TO-3P-3、SC-65-3
サプライヤデバイスパッケージ	TO-3P（N）